इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी) की बुनियादी विशेषताएं

मुख्य विद्युत विशेषताएँ

उच्च इनपुट प्रतिबाधा: MOSFET की विशेषताओं को प्राप्त करता है, कम ड्राइविंग शक्ति की आवश्यकता होती है, और इसमें एक सरल ड्राइविंग सर्किट होता है।

 

कम चालन वोल्टेज ड्रॉप: चालकता मॉड्यूलेशन प्रभाव का उपयोग करता है; ऑन{0}}स्टेट सैचुरेशन वोल्टेज (Vce(sat)) समान वोल्टेज रेटिंग वाले MOSFETs की तुलना में बहुत कम है, आमतौर पर 1.5~3V।

 

उच्च वोल्टेज और बड़ी करंट क्षमता: 600V से 6500V तक वोल्टेज स्तर के लिए उपयुक्त, जिसमें करंट 10A से 1800A तक पहुंचता है।

 

मध्यम स्विचिंग आवृत्ति: ऑपरेटिंग आवृत्ति रेंज आमतौर पर दसियों kHz (जैसे 10-100kHz) होती है, BJT से अधिक लेकिन MOSFET से कम।

 

सकारात्मक तापमान गुणांक: रेटेड वर्तमान के तहत, वीसीई (सैट) तापमान के साथ थोड़ा बढ़ जाता है, जो समानांतर में उपयोग किए जाने पर वर्तमान साझाकरण के लिए फायदेमंद होता है।